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PSMN1R9-80SSJ

N-channel 80 V, 1.9 mOhm ASFET with enhanced dynamic current sharing in LFPAK88

1.Generaldescription Inhigh-powerapplications,itiscommonpracticetoconnecttwoormoreMOSFETsinparallelto providehighcurrentcapability.Evenwhenthegatesaredrivenfromthesamegatedriver,itcanbe challengingtoensurethatMOSFETssharetheloadcurrentequally. Smalld

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PSMN1R9-80SSE

N-channel80V,1.9mOhmMOSFETwithenhancedSOAinLFPAK88

description N-channelenhancementmodeMOSFETinaLFPAK88packagequalifiedto175°C.Part ofNexperia'sApplicationSpecificMOSFETs(ASFETs)forHotswapandSoftStart.The PSMN1R9-80SSEdeliversverylowRDSonandenhancedsafeoperatingareaperformanceina high-reliabilitycopper-clip

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更多PSMN1R9-80SSJ供應(yīng)商 更新時間2025-5-19 9:25:00

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