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SOT-363	文件：139.77 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODE FEATURES PowerdissipationPD:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentIF:150mA Collector-basevoltageVR:75V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
SOT-363	文件：316.81 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastSwitchingDiodes Features ◇Fastswitchingspeed. ◇Forgeneralpurposeswitchingapplication. ◇Ultra-smallsurfacemountpackage. ◇Highconductance. Applications ◇Forgeneralpurposeswitchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
SOT-363	文件：671.71 Kbytes Page：38 Pages	Low-powersleepmodeOn-hooktransmissionLooporgroundstartoperationSmoothpolarityreversal	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SOT-363	文件：347.5 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastSwitchingDiodes Features ◇Fastswitchingspeed. ◇Forgeneralpurposeswitchingapplication. ◇Ultra-smallsurfacemountpackage. ◇Highconductance.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
SOT-363	文件：294.01 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes Features ◇Lowforwardvoltagedrop. ◇Guardringconstructionfortransientprotection. ◇Fastswitching. ◇Lowleakagecurrent. ◇Threefullyisolatedschottkydiodes. ◇Alsoavailableinleadfreeversion Applications ◇Highspeedswitching.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
SOT-363	文件：134.03 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
SOT-363	文件：209.05 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(NPN/PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200/-200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:75/-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
SOT-363	文件：83 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipGeneralPurposeTRANSISTOR(PNPandNPN) FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:±200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:180/-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
SOT-363	文件：110.15 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODE	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
SOT-363L	文件：39.47 Kbytes Page：2 Pages	PackageDimensionsinmm	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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SILABS

Silicon Laboratories

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