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784383560068HT

Marking：R68；WE-MAIA SMT Power Inductor

GeneralProperties: AmbientTemperature(referring toIR)-55upto+110°C OperatingTemperature-55upto+150°C StorageConditions(inoriginal packaging)

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍爾特伍爾特集團(tuán)

784383770068HT

Marking：R68；WE-MAIA SMT Power Inductor

GeneralProperties: AmbientTemperature(referring toIRP)-55°Cupto+110°C OperatingTemperature-55°Cupto+150°C StorageConditions(inoriginal packaging)

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍爾特伍爾特集團(tuán)

AP431AY

Marking：R6**；Package：SOT-25；Adjustable Precision Shunt Regulator

■Description TheAP431/AP431Aare3-terminaladjustableprecisionshuntregulatorswithguaranteedtemperaturestabilityovertheapplicableextendedcommercialtemperaturerange.Theoutputvoltagemaybesetatanylevelgreaterthan2.495V(VREF)upto36Vmerelybyselectingtwoexternalresi

ANACHIPAnachip Corp

易亨電子易亨電子股份有限公司

BFQ67R

Marking：R67；Package：SOT-23；Silicon NPN Planar RF Transistor

Features ?Smallfeedbackcapacitance ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC ???andWEEE2002/96/EC Applications ???Lownoisesmallsignalamplifiersupto2GHz.This ???transistorhassuperiornoisefigur

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

R6002ENH

Marking：R6002ENH；Package：SOP8；Nch 600V 2A Power MOSFET

lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6004RND3

Marking：R6004RND3；Package：TO-252；Nch 600V 4A Power MOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6007RND3

Marking：R6007RND3；Package：TO-252；Nch 600V 7A Power MOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6009END3

Marking：R6009E；Package：TO-252；Nch 600V 9A Power MOSFET

Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Drivecircuitscanbesimple. 4)Paralleluseiseasy. 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6009RND3

Marking：R6009RND3；Package：TO-252；Nch 600V 9A Power MOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6011END3

Marking：R6011E；Package：TO-252；Nch 600V 11A Power MOSFET

Features 1)Lowon-resistance 2)Lowradiationnoise 3)Drivecircuitscanbesimple 4)Paralleluseiseasy 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

替換型號(hào)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    R60

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （SW）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    KSR2110,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-15

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    R6

  • 制造商：

    Enhance Technology

  • 功能描述：

    ENHANCERAID R6 - 2U - Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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全志全系列在售,終端可出樣品
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更多R6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-25 17:01:00

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