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RJP30E3DPP-M0中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJP30E3DPP-M0
廠商型號

RJP30E3DPP-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

197.26 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-25 15:22:00

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RJP30E3DPP-M0規(guī)格書詳情

Features

? Trench gate technology (G5H series)

? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ

? High speed switching tf = 150 ns typ

? Low leak current ICES = 1 μA max

? Isolated package TO-220FL

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJP30E3DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS
24+
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80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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2023+
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正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
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RENESAS
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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RENESAS/瑞薩
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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