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SI2302A	文件：1.8694 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
SI2302A	文件：1.24007 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
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SI2302B	文件：765.18 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
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友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

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