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零件編號	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
SI2302DDS	文件：213.36 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitchingforPortableDevices ?DC/DCConverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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SI2302DDS	文件：200.59 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100Rgtested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Loadswitchingforportabledevices ?DC/DCconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI2302DS	文件：257.32 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. Productavailability:SI2302DSinSOT23. Features TrenchMOS?technology Veryfastswitching Logiclevelcompatible Subminiaturesurfacemountpackage.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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SI2302DS	文件：361.55 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: SI2302DSinSOT23. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applic	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
SI2302DS-HF	文件：1.11453 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS=20V ●RDS(on)=85mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A ●RDS(on)=115mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A ●Pb?FreePackageMaybeAvailable.TheG?SuffixDenotesa Pb?FreeLeadFinish	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
SI2302-TP	文件：168.38 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?20V,3.0A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=82mΩ@VGS=2.5V ?HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Ruggedandreliable ?Leadfreeproductisacquired ?SOT-23Package ?MarkingCode:S2 ?Epo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
SK2302AAT	文件：592.07 Kbytes Page：4 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMOSFETS	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
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FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100Rgtested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Loadswitchingforportabledevices ?DC/DCconverter

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N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. Productavailability:SI2302DSinSOT23. Features TrenchMOS?technology Veryfastswitching Logiclevelcompatible Subminiaturesurfacemountpackage.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

Philips

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N-ChannelEnhancementMOSFET

■Features ●VDS=20V ●RDS(on)=85mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A ●RDS(on)=115mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A

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N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: SI2302DSinSOT23. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applic

安世安世半導體(中國)有限公司

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N-ChannelMOSFET

■Features ●VDS=20V ●RDS(on)=85mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A ●RDS(on)=115mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A ●Pb?FreePackageMaybeAvailable.TheG?SuffixDenotesa Pb?FreeLeadFinish

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SI2302-TP

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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?20V,3.0A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=82mΩ@VGS=2.5V ?HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Ruggedandreliable ?Leadfreeproductisacquired ?SOT-23Package ?MarkingCode:S2 ?Epo

MCCMicro Commercial Components

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SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

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