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RM35N30DN中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM35N30DN
廠商型號

RM35N30DN

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

35N30

封裝外殼

DFN3x3EP

文件大小

527.12 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 18:00:00

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RM35N30DN規(guī)格書詳情

General Features

VDS =30V,ID =35A

RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=4.5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

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