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MTSF2P03HD	文件：288.97 Kbytes Page：12 Pages	P??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTSF2P03HD	文件：245.52 Kbytes Page：12 Pages	SINGLETMOSPOWERMOSFET2.7AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.090OHM MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSSingleP-ChannelFieldEffectTransistor Micro8?devicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityHDTMOSprocesstoachievelowestpossibleon–resistancepersiliconarea.Theyarecapableofwithstandinghighene	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
RFT2P03L	文件：91.97 Kbytes Page：9 Pages	2.1A,30V,0.150Ohm,P-ChannelLogicLevel,PowerMOSFET ThisproductisaP-ChannelpowerMOSFETmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itwasdesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulator	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RT2P03M	文件：54.02 Kbytes Page：3 Pages	COMPOSITETRANSISTORWITHRESISTORFORSWITCHINGAPPLICATIONSILICONPNPEPITAXIALTYPE DESCRIPTION RT2P03Misacompositetransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=10KΩ,R2=10KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 諫早電子諫早電子株式會社	ISAHAYA

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P??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

ONSEMI

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SINGLETMOSPOWERMOSFET2.7AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.090OHM

MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSSingleP-ChannelFieldEffectTransistor Micro8?devicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityHDTMOSprocesstoachievelowestpossibleon–resistancepersiliconarea.Theyarecapableofwithstandinghighene

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

Motorola

RFT2P03L

文件：91.97 Kbytes

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2.1A,30V,0.150Ohm,P-ChannelLogicLevel,PowerMOSFET

ThisproductisaP-ChannelpowerMOSFETmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itwasdesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulator

Intersil

Intersil Corporation

Intersil

RT2P03M

文件：54.02 Kbytes

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COMPOSITETRANSISTORWITHRESISTORFORSWITCHINGAPPLICATIONSILICONPNPEPITAXIALTYPE

DESCRIPTION RT2P03Misacompositetransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=10KΩ,R2=10KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit

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