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IDCS-7328	文件：70.67 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent,SurfaceMountInductors-ShieldedS FEATURES ?Highenergystorage ?Lowresistance ?Magneticallyshielded ?Tapeandreelpackagingforautomatichandling ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 MECHANICALSPECIFICATIONS Core:ferrite Wire:enamelledcopperwire Ba	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF7328	文件：402.14 Kbytes Page：8 Pages	DualP-Channel30V(D-S)MOSFET TrenchTechnology UltraLowOn-Resistance DualP-ChannelMOSFET AvailableinTape&Reel Lead-Free Features	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7328	文件：108.61 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description NewtrenchHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	IRF International Rectifier	IRF
IRF7328	文件：351.79 Kbytes Page：8 Pages	DualP-Channel30V(D-S)MOSFET Features TrenchTechnology UltraLowOn-Resistance DualP-ChannelMOSFET AvailableinTape&Reel Lead-Free	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRF7328PBF	文件：175.47 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7328PBF	文件：175.47 Kbytes Page：8 Pages	TrenchTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7328PBF	文件：167.52 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description NewtrenchHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7328TR	文件：402.14 Kbytes Page：8 Pages	DualP-Channel30V(D-S)MOSFET TrenchTechnology UltraLowOn-Resistance DualP-ChannelMOSFET AvailableinTape&Reel Lead-Free Features	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7328TR	文件：351.79 Kbytes Page：8 Pages	DualP-Channel30V(D-S)MOSFET Features TrenchTechnology UltraLowOn-Resistance DualP-ChannelMOSFET AvailableinTape&Reel Lead-Free	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
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詳細參數(shù)

型號：
SI7328DN
功能描述：
MOSFET 30V 35A 52W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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