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SPI11N60CFD

New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI11N60CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP11N60CFD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS)

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPP11N60CFD

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.44? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP11N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP11N60CFD

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP11N60CFD

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelowreverserecoverycharge

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPW11N60CFD

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelowreverserecoverycharge ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPW11N60CFD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤440m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPW11N60CFD

CoolMOS??PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SPI11N60CFD

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 0.44 Ohms

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
24+
PG-TO262-3I2PAK(TO
8866
詢價
infineon
2020+
TO262
3365
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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INFINEON/英飛凌
23+
TO-262
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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INF
23+
TO-262
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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INFINEON
21+
N/A
2500
進(jìn)口原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
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23+
TO262
3500
十七年VIP會員,誠信經(jīng)營，一手貨源，原裝正品可零售！
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INFINEON/英飛凌
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NA/
4750
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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INFINEON/英飛凌
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TO-262
20000
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
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23+
TO-262
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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INFINEON/英飛凌
2407+
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更多SPI11N60CFD供應(yīng)商 更新時間2025-5-7 15:57:00

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