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SPI80N08S2-07R中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SPI80N08S2-07R
廠商型號(hào)

SPI80N08S2-07R
功能描述

OptiMOS Power-Transistor
文件大小

325.34 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-24 16:42:00
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SPI80N08S2-07R規(guī)格書詳情

Feature

? N-Channel

? Enhancement mode

? 175°C operating temperature

? Avalanche rated

? dv/dt rated

? Integrated gate resistance for easy parallel connection

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    SPI80N08S2-07R

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
達(dá)高TECCOR
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TO-262-3
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終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
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