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SPP11N65C3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

SPP11N65C3
廠商型號

SPP11N65C3

參數(shù)屬性

SPP11N65C3 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

338.87 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-24 23:01:00

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SPP11N65C3規(guī)格書詳情

? DESCRIPTION

? Ultra low gate charge

? High peak current capability

? FEATURES

? Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.38?

? Enhancement mode

? Fast Switching Speed

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    SPP11N65C3HKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    CoolMOS?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    11A(Tc)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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