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SPP11N65C3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

SPP11N65C3
廠商型號

SPP11N65C3
參數(shù)屬性

SPP11N65C3 包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET
文件大小

1.035359 Mbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】

中文名稱

微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-24 9:23:00
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SPP11N65C3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Reduced trr, Qrr, and IRRM

? Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

? Low input capacitance (Ciss)

? Low switching losses due to reduced Qrr

? Ultra low gate charge (Qg)

? Avalanche energy rated (UIS)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    SPP11N65C3HKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    CoolMOS?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    11A（Tc）

  • 描述：

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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