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STB80N4F6AG

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD80N4F6

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

STD80N4F6

N-channel40V,5.5mtyp.,80ASTripFETVIDeepGATEPowerMOSFETinDPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STU80N4F6

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STU80N4F6

N-channel40V,5.5mtyp.,80ASTripFETVIDeepGATEPowerMOSFETinDPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成
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更多STB80N4F6AG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-6 17:26:00