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MTB15N06E

TMOSPOWERFET15AMPERES

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB15N06E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTB15N06V

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTB15N06V

PowerFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTB15N06V

TMOSPOWERFET15AMPERES

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06V

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

MTD15N06V

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTD15N06V

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    STD15N06L

  • 制造商：

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱：

    STMicroelectronics

  • 功能描述：

    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
SOT252
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
 詢價
ST
23+
TO-252
8795
詢價
24+
N/A
2300
詢價
ST
06+
TO-252
8000
原裝庫存
 詢價
ST
24+
TO-251/252
6430
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
 詢價
ST
08+
18000
普通
 詢價
ST/意法
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
ST/意法
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
ST/意法
2022+
SOT252
12888
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
ST/意法
21+
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價
更多STD15N06L供應(yīng)商 更新時間2025-5-7 14:00:00

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