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STP180N4F6

Marking：180N4F6；Package：TO-220；N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET? F6 Power MOSFET in a TO-220 package

Features ?Verylowon-resistance ?Verylowgatecharge ?Highavalancheruggedness ?Lowgatedrivepowerloss Applications ?Switchingapplications ?Powertools Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET?F6technology withanewtrenchgat

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STP180N4F6

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD180N4F6

N-channel40V,2.5m廓typ.,80ASTripFET??F6PowerMOSFETinaDPAKpackage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STP180N4F6

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    STripFET? F6

  • 包裝：

    管件

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    120A（Tc）

  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：

    4.5V，10V

  • 功率耗散（最大值）：

    190W（Tc）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 描述：

    MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多STP180N4F6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-15 17:00:00

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