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SVSP14N65KD2中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
SVSP14N65KD2 |
| 功能描述 | 14A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-262-3L |
| 文件大小 |
308.02 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | Silan Microelectronics Joint-stock |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
SILAN【士蘭微】 |
| 中文名稱(chēng) | 杭州士蘭微電子股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-29 8:30:00 |
| 人工找貨 | SVSP14N65KD2價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SVSP14N65KD2規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
SVSP14N65FJD/T/KD2 is an N-channel enhancement mode high
voltage power MOSFETs produced using Silan’s DPMOS technology.
It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the
design engineers to their power converters with high efficiency, high
power density, and superior thermal behavior. Furthermore, it’s
universal applicable, i.e., suitable for hard and soft switching
topologies.
FEATURES
? 14A,650V, RDS(on)(typ.)=0.26?@VGS=10V
? New revolutionary high voltage technology
? Ultra low gate charge
? Periodic avalanche rated
? Extreme dv/dt rated
? High peak current capability
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG |
16+ |
QFP |
1052 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢(xún)價(jià) | ||
SILAN/士蘭微 |
21+ |
TO220 |
38000 |
詢(xún)價(jià) | |||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
QFP48 |
98900 |
原廠(chǎng)原裝正品現(xiàn)貨!! |
詢(xún)價(jià) | ||
BGA |
40 |
詢(xún)價(jià) | |||||
Silan |
23+ |
TO-247 |
20000 |
原裝正品價(jià)格優(yōu)惠,志同道合共謀發(fā)展 |
詢(xún)價(jià) | ||
SAMSUNG/三星 |
25+ |
QFP48 |
996880 |
只做原裝,歡迎來(lái)電資詢(xún) |
詢(xún)價(jià) | ||
SILAN(士蘭微) |
23+ |
TO-220FJD-3L |
431 |
三極管/MOS管/晶體管 > 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) |
詢(xún)價(jià) | ||
冠坤電子 |
21+ |
10mm*12.5mm |
13 |
全新原裝鄙視假貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
QFP48 |
12000 |
原裝 |
詢(xún)價(jià) | ||
SILAN/士蘭微 |
25+ |
TO-247-3L |
10000 |
原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢(xún)價(jià) |
