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TF80P03	文件：3.79402 Mbytes Page：6 Pages	Marking：80N03；Package：TO-251；P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ●GeneralDescription TheTF80P03combinesadvancedtrenchMOSFET technologywithalowresistancepackagetoprovide extremelylowRDSON.Thisdeviceisidealforloadswitch andbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimi	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司	TUOFENG
EMB80P03G	文件：211.45 Kbytes Page：5 Pages	P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)80mΩ ID‐3.5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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G80P03K	文件：621.66 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG80P03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
WSC80P03	文件：581.39 Kbytes Page：5 Pages	P-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體（深圳）有限公司	WIINSOK

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制造商上傳企業(yè)

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TF80P03

文件：3.79402 Mbytes

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Marking：80N03；Package：TO-251；P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

●GeneralDescription TheTF80P03combinesadvancedtrenchMOSFET technologywithalowresistancepackagetoprovide extremelylowRDSON.Thisdeviceisidealforloadswitch andbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimi

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司

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P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG80P03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

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