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ZTX605

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=120V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ZTX605

NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWER

FEATURES *120VoltVCEO *1Ampcontinuouscurrent *Gainof2KatIC=1Amp *Ptot=1Watt

DIODES

Diodes Incorporated

ZTX605

NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWER(DARLINGTONTRANSISTORS)

FEATURES *120VoltVCEO *1Ampcontinuouscurrent *Gainof2KatIC=1Amp *Ptot=1Watt

Zetex

Zetex Semiconductors

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更多TIP605-DOC供應(yīng)商 更新時間2025-5-24 16:01:00

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