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UM811RE	文件：379.22 Kbytes Page：14 Pages	VoltageMonitorswithManualResetInput	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英聯(lián)英聯(lián)半導(dǎo)體股份有限公司	UNIONSEMI
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UPA811T	文件：219.4 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR TheμPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?ASmallMiniMold	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPC811	文件：742.66 Kbytes Page：8 Pages	HighStability,LowOffsetVoltageJ-FETInputOperationalAmplifier FEATURES ?InputOffsetVoltage±1mV(TYP.)(±2.5mVMAX.) ?VIOTemperatureDrift±7μV/?C(TYP.) ?InputBiasCurrent50pA(TYP.) ?SlewRate15V/μs(TYP.) ?UnityGainFrequency4MHz(TYP.) ?InputEquivalentNoiseVoltageDensity19nV/Hz(TYP.)(f=1kHz) ?Stableoperationagain	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC4228SMALLMINIMOLD

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TheμPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?HighGain |S21e|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?ASmallMiniMold

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TheμPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?HighGain |S21e|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?ASmallMiniMold

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HighStability,LowOffsetVoltageJ-FETInputOperationalAmplifier

FEATURES ?InputOffsetVoltage±1mV(TYP.)(±2.5mVMAX.) ?VIOTemperatureDrift±7μV/?C(TYP.) ?InputBiasCurrent50pA(TYP.) ?SlewRate15V/μs(TYP.) ?UnityGainFrequency4MHz(TYP.) ?InputEquivalentNoiseVoltageDensity19nV/Hz(TYP.)(f=1kHz) ?Stableoperationagain

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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