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TPCF8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCF8201

FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.4S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) ?Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCP8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCP8201

PortableEquipmentApplications

PortableEquipmentApplications MotorDriveApplications DC-DCConverterApplications ?Lead(Pb)-Free ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=7.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(VDS=30V) ?Enhancementmode:Vth=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCP8201

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCS8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOS)

LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs Smallfootprintduetosmallandthinpackage Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=22m?(typ.) Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=13S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) Enha

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

VSC8201

LANDISCRETETRANSFORMERMODULES

LANFILTEREDCONNECTORS LANGIGABITICCROSSREFERENCE LAN10/100BASE-TXICCROSSREFERENCE LAN10BASE-TICCROSSREFERENCE

pulse

Pulse A Technitrol Company

VSC8201

SinglePort10/100/1000BASE-Tand1000BASE-XPHY

Introduction ThispurposeofthisapplicationnoteinconjunctionwiththeVSC8201DatasheetistoprovideinformationtoassistinthedesignandlayoutoftheVSC8201GigabitEthernetTransceiver. PowerSupplyOrganizationandDecoupling TheVSC8201requiresa3.3vanda1.5vpowersu

VITESSE

Vitesse Semiconductor Corporation

VSC8201DL

SinglePort10/100/1000BASE-Tand1000BASE-XPHY

Introduction ThispurposeofthisapplicationnoteinconjunctionwiththeVSC8201DatasheetistoprovideinformationtoassistinthedesignandlayoutoftheVSC8201GigabitEthernetTransceiver. PowerSupplyOrganizationandDecoupling TheVSC8201requiresa3.3vanda1.5vpowersu

VITESSE

Vitesse Semiconductor Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TISP8201HDM

  • 功能描述：

    SCR Buffered N-Gate SCR Dual

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流

  • IBO：

    480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓

  • VDRM：

    600 V

  • 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在VDRM_IDRM下）：

    5 uA

  • 開啟狀態(tài)：

    RMS

  • 正向電壓下降：

    1.6 V

  • 柵觸發(fā)電壓(Vgt)：

    1.3 V

  • 最大柵極峰值反向電壓：

    5 V

  • 柵觸發(fā)電流(Igt)：

    35 mA 保持電流（Ih

  • 最大值）：

    75 mA

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    TO-220

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
BOURNS
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SOP5.2
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只做進口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
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原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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24+
NA/
3320
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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更多TISP8201HDM供應(yīng)商 更新時間2025-5-21 10:04:00

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