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TK3A60DA

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK3A60DA

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TK3A60DA

Switching Regulator Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

3A60

3A,600V-1000VGlassPassivatedRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

HHS3A60A

3mmRoundLampwithSingleLevelHousing

INOLUX

Inolux Corporation

HHS3A60B

3mmRoundLampwithSingleLevelHousing

INOLUX

Inolux Corporation

HHT3A60C

3mmRoundLampwithTripleLevelHousing

INOLUX

Inolux Corporation

T3A60

3.0AStandardRectifier

TAITRON

TAITRON Components Incorporated

T3A60G

3.0AGlassPassivatedRectifier

TAITRON

TAITRON Components Incorporated

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TK3A60DA

  • 功能描述：

    MOSFET N-ch 600V 2.5A TO-220SIS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TK3A60DA供應商 更新時間2025-5-27 11:03:00

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