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15N50	文件：1.039069 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

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FairchildFairchild Semiconductor

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Features ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ●ReducedrDS(ON) ●ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ●ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI

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