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TP858C12R

Schottky Barrier Diode

SchottkyBarrierDiode

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

YA858C12R

SchottkyBarrierDiode

SchottkyBarrierDiode

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

YG858C12R

SchottkyBarrierRectifier

FEATURES ·MultilayerMetal-SiliconPotentialStructure. ·LowLeakageCurrent. ·HighCurrentCapability,HighEfficiency. ·HighJunctionTemperatureCapability.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

YG858C12R

SchottkyBarrierDiode

SchottkyBarrierDiode

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    TP858C12R

  • 制造商：

    FUJI

  • 制造商全稱：

    Fuji Electric

  • 功能描述：

    Schottky Barrier Diode

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更多TP858C12R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-21 13:01:00

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