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TYN812TRG	文件：251.73 Kbytes Page：17 Pages	Standard12ASCRs Features On-stateRMScurrent,IT(RMS)12A Repetitivepeakoff-statevoltage,VDRMand VRRM600V,800Vand1000V Triggeringgatecurrent,IGT5mAor15mA Description Thestandard12ASCRseriesissuitabletofitall modesofcontrol,foundinapplicationssuchas overvoltagec	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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Features On-stateRMScurrent,IT(RMS)12A Repetitivepeakoff-statevoltage,VDRMand VRRM600V,800Vand1000V Triggeringgatecurrent,IGT5mAor15mA Description Thestandard12ASCRseriesissuitabletofitall modesofcontrol,foundinapplicationssuchas overvoltagec

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC4227SMALLMINIMOLD

TheμPA812Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.4dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA ?HighGain |S21e|2=12dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA ?ASmallMiniM

NECRenesas Electronics America

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NEC

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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