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TRS12E65H中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TRS12E65H
廠商型號

TRS12E65H

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

絲印標(biāo)識

S12E65H

封裝外殼

TO-220-2L

文件大小

473.67 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-23 23:44:00

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TRS12E65H規(guī)格書詳情

Applications

? Power Factor Correction

? Solar Inverters

? Uninterruptible Power Supplies

? DC-DC Converters

Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc = 33 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR = 2.4 μA (typ.)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TTI
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只做原裝現(xiàn)貨繼電器
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