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UPG2012TB	文件：325.3 Kbytes Page：11 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) ?Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=?0.2to+0.2V(0VTYP.) ?Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPG2012TK	文件：306 Kbytes Page：7 Pages	NECs?WSINGLECONTROLL,S-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION TheμPG2012TKisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishous	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UPG2012TK	文件：109.58 Kbytes Page：9 Pages	L-BANDSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UPG2012TK	文件：363.3 Kbytes Page：8 Pages	WSINGLECONTROLL,S-BANDSPDTSWITCH	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2012TK	文件：309.88 Kbytes Page：11 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) ?Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=?0.2to+0.2V(0VTYP.) ?Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
VACL2012	文件：366.69 Kbytes Page：2 Pages	Terminal,Compression	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
VACL2012BN	文件：363.09 Kbytes Page：2 Pages	Terminal,Compression	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
VAUL2012	文件：376.7 Kbytes Page：2 Pages	AluminumCompressionTerminalfor2/0AL/CU,2/06/1ACSR,3/0COMPACT	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
VLS2012E	文件：742.3 Kbytes Page：53 Pages	InductorsforPowerCircuitsWoundFerrite OverviewoftheVLS-ESeries FEATURES Magneticshieldtypewoundinductorforpowercircuits. Low-profileproductlineupwithmax.heightsof0.8mm,0.95mm,1.0mm,1.2mm,and1.5mmallowingfordifferentusages. Highmagneticshieldconstructionandcompatiblewithhigh-densitymount	TDKTDK Corporation TDK株式會(huì)社東電化（中國(guó)）投資有限公司	TDK
VLS2012E	文件：742.3 Kbytes Page：53 Pages	InductorsforPowerCircuitsWoundFerrite OverviewoftheVLS-ESeries FEATURES Magneticshieldtypewoundinductorforpowercircuits. Low-profileproductlineupwithmax.heightsof0.8mm,0.95mm,1.0mm,1.2mm,and1.5mmallowingfordifferentusages. Highmagneticshieldconstructionandcompatiblewithhigh-densitymount	TDKTDK Corporation TDK株式會(huì)社東電化（中國(guó)）投資有限公司	TDK

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GaAsINTEGRATEDCIRCUIT

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瑞薩瑞薩科技有限公司

RENESAS

UPG2012TK

文件：306 Kbytes

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NECs?WSINGLECONTROLL,S-BANDSPDTSWITCH

DESCRIPTION TheμPG2012TKisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishous

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

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UPG2012TK

文件：109.58 Kbytes

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L-BANDSPDTSWITCH

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UPG2012TK

文件：363.3 Kbytes

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WSINGLECONTROLL,S-BANDSPDTSWITCH

CEL

California Eastern Labs

CEL

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GaAsINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES ?Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) ?Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=?0.2to+0.2V(0VTYP.) ?Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.

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VACL2012

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Terminal,Compression

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HUBBELL INCORPORATED

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Terminal,Compression

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

HUBBELL

VAUL2012

文件：376.7 Kbytes

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AluminumCompressionTerminalfor2/0AL/CU,2/06/1ACSR,3/0COMPACT

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

HUBBELL

VLS2012E

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InductorsforPowerCircuitsWoundFerrite

OverviewoftheVLS-ESeries FEATURES Magneticshieldtypewoundinductorforpowercircuits. Low-profileproductlineupwithmax.heightsof0.8mm,0.95mm,1.0mm,1.2mm,and1.5mmallowingfordifferentusages. Highmagneticshieldconstructionandcompatiblewithhigh-densitymount

TDKTDK Corporation

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VLS2012E

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InductorsforPowerCircuitsWoundFerrite

OverviewoftheVLS-ESeries FEATURES Magneticshieldtypewoundinductorforpowercircuits. Low-profileproductlineupwithmax.heightsof0.8mm,0.95mm,1.0mm,1.2mm,and1.5mmallowingfordifferentusages. Highmagneticshieldconstructionandcompatiblewithhigh-densitymount

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	TSC2012HYDT	ST(意法半導(dǎo)體)	24+	SOP-8	2669	深耕行業(yè)12年,可提供技術(shù)支持。	詢價(jià)
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深圳市宏興瑞科技有限公司	TSC2012HYDT	ST/意法	24+	SOIC-8	60000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)

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