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MB10H100CT

DualCommonCathodeHighVoltageSchottkyRectifier

FEATURES ?Powerpack ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowpowerloss,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forD2PAK(TO-263AB)pa

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR10H100

HighVoltageSchottkyRectifiers

HighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES ?Powerpack ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowpowerloss,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequenc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR10H100

High-VoltageSchottkyRectifier

HighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES ?Powerpack ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowpowerloss,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequenc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR10H100

PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0

SchottkyBarrierRectifiers Features ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 ?Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ?Lowpowerloss,highefficiency ?Guardringforovervoltageprotection ?Foruseinlowvoltage,highfr

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

MBR10H100

HighVoltageSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR10H100

HighVoltageSchottkyRectifier

FEATURES ?Powerpack ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowpowerloss,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forTO-263ABpackage)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR10H100C

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

RECTRON

Rectron Semiconductor

MBR10H100CT

10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers

Features ●PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinpowersupply–outputrectif

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

MBR10H100CT

DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier

DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowerpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?H

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR10H100CT

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TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TSI10H100CW

  • 制造商：

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管配置：

    1 對(duì)共陰極

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：

    5A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 150°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    I2PAK

  • 描述：

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Taiwan Semiconductor Corporati
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更多TSI10H100CW供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-28 14:33:00

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