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FQA170N06	文件：363.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=170A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQA170N06	文件：650.39 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
HGS170N06SL	文件：831.63 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChPowerMOSFET Feature ◇HighSpeedPowerSwitching,LogicLevel ◇EnhancedBodydiodedv/dtcapability ◇EnhancedAvalancheRuggedness ◇100%UISTested,100%RgTested ◇LeadFree,HalogenFree Application ◇SynchronousRectificationinSMPS ◇HardSwitchingandHighSpeedCircuit ◇DC/DCinTe	HUNTECKHunteck Semiconductor 恒泰柯半導體恒泰柯半導體（上海）有限公司	HUNTECK
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TSM170N06	文件：365.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司	TSC

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=170A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

Fairchild

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60VN-ChPowerMOSFET

Feature ◇HighSpeedPowerSwitching,LogicLevel ◇EnhancedBodydiodedv/dtcapability ◇EnhancedAvalancheRuggedness ◇100%UISTested,100%RgTested ◇LeadFree,HalogenFree Application ◇SynchronousRectificationinSMPS ◇HardSwitchingandHighSpeedCircuit ◇DC/DCinTe

HUNTECKHunteck Semiconductor

恒泰柯半導體恒泰柯半導體（上海）有限公司

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FEATURES ·DrainCurrent-ID=170A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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TSC

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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