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USF2010FC	文件：209.16 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIERS	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
USF2010FC	文件：182.08 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
UT2010	文件：139.69 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UT2010	文件：92.71 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecovery,2Ampto4Amp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
UT2010	文件：157.42 Kbytes Page：3 Pages	STANDARDRECOVERYRECTIFIERS	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
VDA2010CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VDA2010NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VFCP2010	文件：130.539 Kbytes Page：5 Pages	UltraHighPrecisionZ-FoilFlipChipResistorwithTCRof±0.05ppm/°C,35SpaceSavingversusWraparoundDesignandPCRof5ppmatRatedPower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VLS2010E	文件：790.54 Kbytes Page：53 Pages	InductorsforPowerCircuitsWoundFerriteVLS-Eseries OverviewoftheVLS-ESeries FEATURES Magneticshieldtypewoundinductorforpowercircuits. Low-profileproductlineupwithmax.heightsof0.8mm,0.95mm,1.0mm,1.2mm,and1.5mmallowingfordifferentusages. Highmagneticshieldconstructionandcompatiblewithhigh-densitymount	TDKTDK Corporation TDK株式會社東電化（中國）投資有限公司	TDK
VLS2010E	文件：742.3 Kbytes Page：53 Pages	InductorsforPowerCircuitsWoundFerrite OverviewoftheVLS-ESeries FEATURES Magneticshieldtypewoundinductorforpowercircuits. Low-profileproductlineupwithmax.heightsof0.8mm,0.95mm,1.0mm,1.2mm,and1.5mmallowingfordifferentusages. Highmagneticshieldconstructionandcompatiblewithhigh-densitymount	TDKTDK Corporation TDK株式會社東電化（中國）投資有限公司	TDK

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新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

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Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector

GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein

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GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein

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UltraHighPrecisionZ-FoilFlipChipResistorwithTCRof±0.05ppm/°C,35SpaceSavingversusWraparoundDesignandPCRof5ppmatRatedPower

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

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OverviewoftheVLS-ESeries FEATURES Magneticshieldtypewoundinductorforpowercircuits. Low-profileproductlineupwithmax.heightsof0.8mm,0.95mm,1.0mm,1.2mm,and1.5mmallowingfordifferentusages. Highmagneticshieldconstructionandcompatiblewithhigh-densitymount

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InductorsforPowerCircuitsWoundFerrite

OverviewoftheVLS-ESeries FEATURES Magneticshieldtypewoundinductorforpowercircuits. Low-profileproductlineupwithmax.heightsof0.8mm,0.95mm,1.0mm,1.2mm,and1.5mmallowingfordifferentusages. Highmagneticshieldconstructionandcompatiblewithhigh-densitymount

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