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UN200P26T中文資料優(yōu)恩半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UN200P26T
廠商型號

UN200P26T

功能描述

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識

PD02A

封裝外殼

SOT-26

文件大小

3.20198 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 UN Semiconducctor INC
企業(yè)簡稱

UNSEMI優(yōu)恩半導(dǎo)體

中文名稱

深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-6 23:00:00

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UN200P26T規(guī)格書詳情

Feature

Trench Technology

Supper high density cell design

Excellent ON resistance

Extremely Low Threshold Voltage

Small package SOT-26

Applications

DC/DC Converter for Portable Devices

Load/Power Switching for portable device

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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