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NTD5806N	文件：140.45 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,33A,SingleN??hannel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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DOINGTER

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

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NTE5806

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NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27

Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop

NTE

NTE Electronics

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

P5806NVG

文件：228.6 Kbytes

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N-&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	USB5806I/KD	Microchip	23+	100VQFN	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	USB5806I/KD	Microchip	23+	100VQFN	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
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