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V30DM120C-M3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V30DM120C-M3SLASHI

Dual TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

?TrenchMOSSchottkytechnology ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?AEC-Q101qualifiedavailable: -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V30DM120C-M3/I

Dual TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V30DM120C-M3_15

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V30DM120C-M3/I

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V SMPD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多V30DM120C-M3供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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