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ALD1106	文件：106.16 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrange ofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offerhighinput impedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.Thetransistor	ALD Advanced Linear Devices	ALD
VBE1106N	文件：750.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100UIStested APPLICATIONS ?Primarysideswitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
VBE1106N	文件：739.43 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
VBM1106S	文件：364.83 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)SuperTrenchPowerMOSFET APPLICATIONS ?IsolatedDC/DCConverters FEATURES ?SuperTrenchtechnologyPowerMOSFET ?ExcellentgatechargexRds(on)product(FOM) ?Verylowon-resfistanceRds(on) ?100RgandUISTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
VEC1106	文件：244.82 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistorDC/DCConverterApplications PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?AdoptionofMBITprocess. ?Highcurrentcapacitance. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?Highspeedswitching. ?Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.75mm). ?Highallowablepowerdissi	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
VN1106ND	文件：143.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs???	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
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制造商上傳企業(yè)

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ALD1106

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QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY

GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrange ofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offerhighinput impedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.Thetransistor

ALD

Advanced Linear Devices

ALD

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N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100UIStested APPLICATIONS ?Primarysideswitch

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PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?AdoptionofMBITprocess. ?Highcurrentcapacitance. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?Highspeedswitching. ?Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.75mm). ?Highallowablepowerdissi

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SUTEX

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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