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VBT6045CBP-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VBT6045CBP-E3SLASH4W
廠商型號(hào)

VBT6045CBP-E3SLASH4W

功能描述

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

文件大小

216.59 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-23 23:00:00

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VBT6045CBP-E3SLASH4W規(guī)格書詳情

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB

package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per

JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and

TO-262AA package)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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