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SIHH11N60EF	文件：212.7 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SPA11N60CFD	文件：260.899 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplica	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPA11N60CFD	文件：262.52 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelylowreverserecoverycharge ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Periodicavalancherated ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPA11N60CFD	文件：560.84 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPA11N60CFD	文件：210.02 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI11N60CFD	文件：1.56068 Mbytes Page：12 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargePeriodicavalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI11N60CFD	文件：331.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPP11N60CFD	文件：1.03638 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS)	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SPP11N60CFD	文件：151.66 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelowreverserecoverycharge	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FPF11N60T
制造商：
Rochester Electronics LLC
制造商：
Fairchild Semiconductor Corporation

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FPF11N60T	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	FPF11N60T		24+	N/A	62000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
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