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IKW50N60DTP	文件：1.54658 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiodeTRENCHSTOPTMPerformanceseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IKW50N60T	文件：417.9 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW50N60T	文件：598.76 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW50N60TA	文件：951.92 Kbytes Page：14 Pages	DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication Features: AutomotiveAECQ101qualified DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5μs TRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologyfor600V applicationsoffers: ?-ve	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IXFH50N60X	文件：381.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH50N60X	文件：190.15 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IGB50N60T
功能描述：
IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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