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IXTH30N60P

PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect

IXYS

IXYS Corporation

IXTH30N60P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTQ30N60P

PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IGP30N60T

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
英飛翎
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
INFINEON
24+
PG-TO-220-3-1
8866
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INFINEON
23+
PG-TO-220-3-
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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INFINEON
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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TO-220
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原裝正品，支持實單
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INFINEON
原廠封裝
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一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
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INFINEON
23+
30A,600V,不帶D
20000
全新原裝假一賠十
 詢價
更多IGP30N60T供應(yīng)商 更新時間2025-5-21 14:00:00

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