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IKW30N60T	文件：397.74 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePower	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60T	文件：506.16 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60TA	文件：671.46 Kbytes Page：14 Pages	DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFPS30N60K	文件：136.66 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanch	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS30N60K	文件：138.37 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPS30N60KPBF	文件：135.75 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching ●Lead-Free Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitan	IRF International Rectifier	IRF
IXFA30N60X	文件：299.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFA30N60X	文件：212.15 Kbytes Page：5 Pages	AdvanceTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC30N60P	文件：141.46 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC30N60P	文件：323.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IGW30N60T
功能描述：
IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IGW30N60T	Infineon(英飛凌)	24+	TO-247	928	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IGW30N60T	Infineon(英飛凌)	23+	N/A	12000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	IGW30N60T	INFINEON TECHNOLOGIES AG	25+	SMD	918000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IGW30N60T	INFINEON	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IGW30N60T	INFINEON	24+	PGTO-247-3-1	8866		詢價
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