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IRL620PBF	文件：1.3385 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.80? ID=5.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcomme	IRF International Rectifier	IRF
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IRL620S	文件：502 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=5.2A) VDSS=200V RDS(on)=0.80? ID=5.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurface-mountpowerpackagecapableofa	IRF International Rectifier	IRF
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IRL620S	文件：1.48363 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL620SPBF	文件：1.39136 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.80? ID=5.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurface-mountpowerpackagecapableofa	IRF International Rectifier	IRF
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IRL620STRLPBFA	文件：1.48363 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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