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IRF6601

DirectFET??Power MOSFET(Vdss=20V)

Description TheIRF6601combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge

IRF

International Rectifier

LMH6601

250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LMH6601

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LMH6601

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

TI1Texas Instruments

德州儀器

LMH6601

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器

LMH6601MG

250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LMH6601MG

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LMH6601MG/NOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器

LMH6601MGNOPB

LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LMH6601MGSLASHNOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IRF6601

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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DirectFET? Isometric MT
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DirectFET? Isometric MT
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Infineon Technologies
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DirectFET? Isometric MT
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原裝正品,支持實單
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多IRF6601供應商 更新時間2025-5-15 11:02:00