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LMH6601MGX/NOPB	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1
LMH6601MGXNOPB	文件：1.26795 Mbytes Page：37 Pages	LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
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LMH6601Q	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6601QMG	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
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詳細參數(shù)

型號：
IRF6601
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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