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IRFB31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20D	文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20DPBF	文件：295.33 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.082廓,ID=31A) Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20DPBF	文件：1.29966 Mbytes Page：6 Pages	THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs Features ?40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical154nC) ?LowCrss(typical101pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
IRFB31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFF31N20DPBF	文件：1.29966 Mbytes Page：6 Pages	THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs Features ?40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical154nC) ?LowCrss(typical101pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
IRFS31N20D	文件：188.98 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFSL31N20D
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRFSL31N20D	IR	2015+	TO-262	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFSL31N20D	IR	05+	原廠原裝	7351	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFSL31N20D	IR	23+	TO-262	7600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFSL31N20D	IR	24+	TO-262	8866		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFSL31N20D	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IRFSL31N20D	IR	23+	TO-262-3	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	IRFSL31N20D	IR	23+	TO-262	10000	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
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深圳市賽芯源科技有限公司	IRFSL31N20D	IR	18+	TO-262	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRFSL31N20D	SK	23+	TO-3P	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)

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