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IRFS31N20DPBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.082廓,ID=31A)

Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free  Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

IRF

International Rectifier

IRFS31N20DPBF

THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs

Features ?40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical154nC) ?LowCrss(typical101pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?175°Cmaximumjunctiontemperaturerating

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

IRFS31N20DTRLP

HighFrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFSL31N20D

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 200V 31A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
2015+
TO-262
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應
 詢價
IR
05+
原廠原裝
7351
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
 詢價
IR
23+
TO-262
7600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
IR
24+
TO-262
8866
詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IR
23+
TO-262-3
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
IR
23+
TO-262
10000
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價
IR
1822+
TO-262
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
 詢價
IR
18+
TO-262
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價
 詢價
SK
23+
TO-3P
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
更多IRFSL31N20D供應商 更新時間2025-5-21 11:04:00

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