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TK10A60D	文件：164.35 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.58?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TK10A60D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TK10A60W	文件：1.07069 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
TK10A60W	文件：246.69 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS?? Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.327?(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA) Applications ?SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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TSU10A60	文件：53.42 Kbytes Page：5 Pages	FRD-ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification FEATURES Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
U10A60	文件：135.48 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECTIFIERS(10A,300-600V) UltraFastRecoveryRectifierDiodes ULTRAFASTRECTIFIERS10AMPERES300--600VOLTS	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
UF10A60	文件：200.01 Kbytes Page：2 Pages	UtraFastRecoveryRectifierDiodes	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
UFF10A60	文件：207.45 Kbytes Page：2 Pages	FullPlasticUltrafastPowerRectifiers	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
VSIB10A60	文件：95.65 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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SwitchingRegulatorApplications

?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.58?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=6.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBSEMI

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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS??

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.327?(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA) Applications ?SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.38? ?EasytocontrolGateswitching ?Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performancean

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

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FRD-ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification

FEATURES *Ultra–FastRecovery *LowForwardVoltageDrop *LowPowerLoss,HighEfficiency *HighSurgeCapability

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

NIEC

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FASTRECTIFIERS(10A,300-600V)

UltraFastRecoveryRectifierDiodes ULTRAFASTRECTIFIERS10AMPERES300--600VOLTS

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

MOSPEC

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UtraFastRecoveryRectifierDiodes

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

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FullPlasticUltrafastPowerRectifiers

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

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Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers

VishayVishay Siliconix

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