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SF10A60	文件：54.09 Kbytes Page：6 Pages	SuperFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
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10AmpSiliconRectifiers

Features ?Lowforwardvoltagedrop ?Highcurrentcapability ?Highforwardsurgecurrentcapability ?Highreliability ?Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10seconds /.375(9.5mm)leadlength,5lbs(2.3kg)tension ?RoHScompliant

TAITRON

TAITRON Components Incorporated

TAITRON

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FRD-ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification

FEATURES *DualDiodes–CathodeCommon *Ultra–FastRecovery *LowForwardVoltageDrop *HighSurgeCapability

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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