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NTH4L013N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 13 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=13m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=254nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=262pF) ?100AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NTH4L013N120M3S供應(yīng)商 更新時間2025-5-6 14:00:00

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