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NTH4L015N065SC1_V02

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=430pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Fr

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多NTH4L015N065SC1_V02供應(yīng)商 更新時間2025-5-7 15:00:00

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