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PHP60N06LT	文件：71.01 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP60N06LTissu	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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SSP60N06	文件：268.24 Kbytes Page：5 Pages	NCHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
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TrenchMOS transistor Logic level FET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP60N06LTissu

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無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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TrenchMOS transistor Standard level FET

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50A,60V,0.022Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs

TheseN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETsaremanufacturedusingthelatestmanufacturingprocesstechnology.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapp

Intersil

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AutomotiveN-Channel60V(D-S)175?CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

Vishay

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NCHANNELPOWERMOSFETS

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

Samsung

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N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR

■TYPICALRDS(on)=0.0172 ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■VERYLOWRDS(on) ■APPLICATIONORIENTED CHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEE

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