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TRS3E65H

Marking：S3E65H；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features Chipdesignof3rdgeneration Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) Lowtotalcapacitivecharge:Qc=9nC(typ.) Lowreversecurrent:IR=0.4μA(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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更多S3E65H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-19 16:58:00

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